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PAD Pattern
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RECOMMENDED MINIMUM PAD FOR PowerPAK ? SO-8L SINGLE
5.000
(0.197)
4.061
(0.160)
0.510
(0.020)
Vishay Siliconix
3.630
(0.143)
0.595
(0.023)
0.610
(0.024)
0.710
(0.028)
2.715
0.410
(0.016)
(0.107)
1.905
(0.075)
1.270
(0.050)
0.860
(0.034)
0.820
(0.032)
7.250
(0.285)
Recommended Minimum Pad s
Dimen s ion s in mm (inche s )
Revision: 07-Feb-12
1
Document Number: 63818
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SIJ800DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L
SIM-012SBT87 EMITTER IR SIDE VIEW SMD T/R
SIM-030ST LED IR 870NM 30MW SR SMD
SIM-20ST EMITTER IR 950NM SIDE VIEW TH
SIM-22STF EMITTER IR 950NM SIDE VIEW TH
SIR-320ST3FF EMITTER IR 940NM T1
SIR-341ST3FF EMITTER IR 940NM RADIAL
SIR-34ST3F EMITTER IR 950NM 3MM
相关代理商/技术参数
SIJ484DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SIJ591CIN WAF 制造商:Texas Instruments 功能描述:
SIJ800DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIJ-DH-25 制造商:Russell 功能描述:
SIKR. LYSD. TOUCH/DREJE 2 制造商:JO-EL Electric 功能描述:
SIL03-1A72-71D 功能描述:簧片继电器 Form A - NO 10 W, 200 V RoHS:否 制造商:MEDER electronic (Standex) 触点形式:1 Form A (SPST-NO) 线圈电压:5 VDC 最大开关功率:100 W 最大开关电流:1 A 线圈抑制二极管:No 线圈电阻:220 Ohms 端接类型:
SIL03-1A72-71D_DE 制造商:MEDER 制造商全称:Meder Electronic 功能描述:(deutsch) SIL Reed Relay
SIL03-1A72-71L 制造商:MEDER 制造商全称:Meder Electronic 功能描述:SIL Reed Relay